반도체 8대 공정의 개요
반도체 공정은 고도로 복잡하고 정교한 공정의 집합으로 이루어져 있습니다. 이 중에서도 주요한 반도체 제조 공정인 8대 공정에 대해 알아보도록 하겠습니다.
1. 웨이퍼 제조공정
웨이퍼는 반도체 제조의 기반이 되는 기판입니다. 주로 실리콘 웨이퍼가 사용되며, 실리콘 웨이퍼의 표면을 평평하게 가공합니다.
2. 산화공정
산화공정은 웨이퍼 표면에 특정한 물질을 코팅하는 과정입니다. 염색을 통해 웨이퍼의 표면에 광학적 특성을 부여하거나패턴을 형성할 수 있습니다.
3. 포토공정
이 단계에서는 웨이퍼 표면에 광학 마스크를 사용하여 패턴을 형성합니다. 광학 노광 과정이 이루어지며, 미세한 회로 구조를 만들기 위해 노광 장비를 사용합니다.
4. 식각공정
식각공정은 반도체 표면에 이온을 도입하는 과정입니다. 이온 주입은 반도체 소자의 전기적 특성을 제어하기 위해 이루어지며, 이온 주입 장비를 사용하여 웨이퍼에 이온을 도입합니다.
5. 증착공정
증착은 반도체 표면에 얇은 층을 형성하는 과정입니다. 주로 화학 기상 증착(CVD)과 물리 기상 증착(PVD)이 사용되며, 반도체 소자의 구조를 형성하기 위해 필요한 층을 증착합니다.
6. 금속배선공정
금속배선공정은 반도체 표면의 일부를 제거하여 원하는 패턴을 형성하는 과정입니다. 반도체 소자의 패턴을 정의하기 위해 노광으로 만든 마스크를 사용하고, 에칭 장비를 사용하여 마스크에 정의된 영역을 제거합니다.
7. EDS공정
음극 증착은 반도체 소자의 전극을 형성하는 과정이며, 금속 증착은 전자의 이동을 허용하는 금속 층을 형성하는 과정입니다. 이 단계는 반도체 소자의 전기적 연결을 위해 필수적입니다.
8. 패키징, 테스팅공정
마지막으로, 반도체 웨이퍼 위에 형성된 소자들을 절단하여 개별 칩으로 분리합니다. 이후에는 각 칩의 성능과 품질을 검사하고, 필요한 후공정 작업을 수행하여 반도체 제품으로 완성합니다.
이렇게 8대 공정을 거치면 반도체 제조가 완료됩니다. 각 공정은 매우 복잡하고 정교한 장비와 기술이 요구되며, 고도의정밀도와 품질 관리가 필요합니다.
다음시간부터 각 공정에 따라 세부적으로 알아보도록 하겠습니다.